SI4925DY-T1-E3 datasheet
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>> SI4925DY-T1-E3 MOSFET 30V 6.1A 2W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI4925DY-T1-E3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 6.1A 2W
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 6.1A 2W
SI4925DY-T1-E3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
4.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
32 mOhms
配置
Dual
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI4925DY-T1-E3
SI4925DY-T1-E3.
SI4925DY-T1-E3/GE3
SI4926DY
SI4926DY-T1-E3
SI4927DY
供应商
公司名
电话
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010-62104931
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
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